• MR25H10CDFEVERSPIN原厂代理商
• MR25H10CDFEVERSPIN原厂代理商库存现货价格很优势哦~~
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MR25H10CDF EVERSPIN EVERSPIN代理 EVERSPIN代理商 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2021-05-14 10:32:00

• 最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量
• Everspin公司在磁存储器设计制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAMIP的制造产量。铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,Everspin,everspin代理 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-05 14:58:00

• 什么是STT-MRAM？
• 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力.什么是STT-MRAM？嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另一个是可以翻转的。当磁体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,everspin代理,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-04 17:31:00

• 新型存储器与传统存储器介质特性对比
• 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM，目前暂无商用产品，其代表公司是美国的Crossbar。上述新型存储器已被研究了近数十年，只是相对于早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NANDFlash，还未能大规模商用。存储器产业未来的技术发展方向仍是未知数。在非易失性MRAM存储器方面，EverspinMRAM已经有产品应用于航空航天等特定领域，并于2019年开始与格芯合作，试生产28nm制程的1GbST-MRAM产品。...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： MRAM,Everspin,Everspin MRAM,Everspin STT-MRAM 1Gb 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-24 16:21:00

• EverspinMRAM存储器MR25H10CDC
• Everspin除了是业内首个批量MRAM供应商之外，还拥有并运营位于亚利桑那州钱德勒的集成磁制造线。Everspin当前的产品基于180纳米和130纳米工艺技术节点。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。Everspin正在向全球领先的客户运送大量MRAM产品。我们拥有成熟的全球供应链，并致力于最高质量和寿命。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。MR25H10CDC对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10CDC是理想的存储器。·提供AEC-Q1001级合格选项。·40MHz的读写速度，具有无...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： Everspin MRAM MRAM存储器 MR25H10CDC Everspin代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-03-25 16:57:00

• 各大原厂看好MRAM发展
• MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面，由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远超传统RAM。大规模普及仍面临挑战毫无疑问，MRAM因其独特的存储方式在非易失性，写入速度，寿命等各方面均有优势，然而能否被广泛采用仍面临一系列挑战。一般来讲，MRAM通常由三大部分组成：半导体基底，磁自旋隧穿结（MagneticTunnelJunction，MTJ）和磁发生器。产业调研报告《EmergingMemoriesRampUp》显示，MRAM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,EVERSPIN 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-10 17:07:00

• 案例研究RAID控制器应用程序中的everspinmram
• everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。EverspinMRAM在其RAID磁盘阵列中执行写日志或数据日志功能。MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程诊断和修复。MRAM芯片也包含在LSI公司针对第三方RAID卡和主板RAID（ROMB）解决方案的参考设计中。RAID控制器应用程序中的MRAMEverspinMRAM快速写入，能够实时存储数据，并且在整个工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： everspin,mram 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-01-07 16:32:00

• 航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
• TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元（TAMU）（磁力计子系统）中使用了Everspin扩展的温度范围4MbitMRAM。everspin的4MbitMRAM器件取代了闪存和电池供电的SRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： mram芯片,everspin,Everspin,MRAM技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-26 17:19:00

• everspin自旋转矩MRAM技术
• MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（freelayer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。与ToggleMRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM Everspin代理 非易失性MRMA 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-19 16:03:00

• Everspin非易失性MRAM切换技术
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。下面介绍关于切换MRAM技术切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。在读取期间，传输晶体管被激...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,非易失性MRAM,Everspin代理商 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-11 16:30:00